推广 热搜: led  b2b  纺织  销售  PPS  纺织业  App  上海  2.2  稀土 

移动芯片工艺制程大比拼

   日期:2014-02-26     来源:电子设计技术    浏览:113    评论:0    
核心提示:  在移动通信芯片领域,高通是第一家量产了28nm制程的移动芯片厂商,2013年是28nm制程的普及年,除了联芯和展讯还在使用40nm制

  在移动通信芯片领域,高通是第一家量产了28nm制程的移动芯片厂商,2013年是28nm制程的普及年,除了联芯和展讯还在使用40nm制程外,其余各家移动通信芯片厂商都不约而同的使用了28nm制程。目前28nm制程主要有两个工艺方向:HighPerformance(HP,高性能型)和LowPower(LP,低功耗型)。

  LP低功耗型是最早量产的,不过它并非Gate-Last工艺,还是传统的SiON(氮氧化硅)介质和多晶硅栅极工艺,优点是成本低,工艺简单,适合对性能要求不高的手机和移动设备。HP才是真正的HKMG+Gate-Last工艺,又可细分为HP、HPL(LowPower)、HPM(Moblie)三个方向。HP工艺拥有最好的每瓦性能比,频率可达2GHz以上;HPL的漏电流最低,功耗也更低;HPM主要针对移动领域,频率比HPL更高,功耗也略大一些。

  而世界前几大专业集成电路制造服务公司,包括TSMC、GF、Samsung和Intel,为各芯片厂商提供芯片制造支撑的同时,暗地里也展开了一场角逐。Intel一直是以技术领先为导向的,虽然自己的CPU在移动通信领域不太受欢迎,但其最先使用HKMG+Gate-Last工艺,又最先量产3D晶体管,其制程领先对手可以按代来计算,目前移动通信领域与Intel展开合作的公司不是太多。

 
打赏
 
更多>同类资讯
0相关评论

推荐图文
推荐资讯
点击排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  法律声明  |  网站地图  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  冀ICP备10017211号-19