日前,富士通公司的第二座300毫米晶圆厂已经开始运营,该工厂将制造65纳米芯片,2007年7月开始进入量产。
不过由于客户需求低于预期,新工厂的月产能将从最初的10,000片晶圆,大幅调低到2,000至3,000之间。
富士通集团高级副总裁兼电子器件业务部总裁Shigeru Fujii 表示,“我们的产能可以进行灵活扩充,如果客户需求增加,我们将准备好扩充产能以满足需求。”据悉,第二座晶圆厂的月产能可以扩充至25,000片晶圆。
富士通一直试图在晶圆代工领域取得成功,已经获得了超过30名客户。他们中包括日本的IDM和轻晶圆厂半导体公司,以及北美和亚洲的无晶圆厂半导体公司。
新工厂的生产能力包括混合信号、嵌入式内存(闪存和1T-SRAM)和高速I/O处理器,工艺精度最低可以达到65纳米节点。另外,还包括采用90纳米的RF CMOS工艺过程,65纳米版本正在开发中。
为了快速提供原型,富士通与Advantest在2006年11月建立了一家合资企业,为客户提供Advantest电波光刻系统设计原型服务,无需使用昂贵的掩膜工艺。
现在,ASIC和代工服务占富士通半导体销售额的大约60%,基于130纳米和较陈旧工艺的微处理器和模拟器件业务占大约35%。
富士通表示,该公司在数码相机和录像机H.264编码器ASSP市场占有最高份额。
尽管代工业务扩张,但富士通2006财年半导体销售业务预计为39亿美元,比原先预测的43亿美元下滑10%。
富士通第一座300毫米晶圆厂目前月产能为15,000片,使用90纳米过程工艺,为公司的半导体业务贡献了主要利润。