据国外媒体报道，本周四美光科技宣布，它与英特尔的合资企业IM Flash科技公司已经开发出处于行业领先水平的50纳米MLC(多层单元)NAND闪存芯片样品。
美光称，与SLC(单层单元)闪存组件相比，新的MLC闪存组件体积更小，能量效益更高，能够更理想的使用在目前的计算和消费电子产品中。MLC闪存组件的密度为16GB，而SLC闪存组件的密度仅4GB。
英特尔NAND闪存部门副总裁兼总经理Randy Wilhelm表示，我们与美光的合资公司提前开发出了行业中领先水平的米MLC芯片架构超过了我们先前的时间预期，去年七月份，我们首先在行业中开发出了50纳米SLC闪存样品，开发出行业中最先进的50纳米MLC架构进一步证明了我们的开发和制造实力。
