从国外媒体处获悉：美国IBM公司和日本TDK公司日前宣布，将发起一项联合研发计划，推动磁阻内存（MRAM）的量产和市场推广。
传统内存使用电荷存储数据，磁阻内存使用电磁性能存储数据，它没有读写次数限制，功耗更低，速度比目前的闪存还要快，被认为是内存技术的未来。不过，目前磁阻内存的生产成本还比较高。
IBM公司和TDK公司宣布，联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路，可以当作单独的内存芯片，或是集成到其他芯片上。
专家表示，将来如果磁阻内存获得推广，人们在几秒钟之内启动系统将不是梦想。因为磁阻内存的数据断电也可自行保存，无须再从硬盘上拷入。
联合研发计划为期四年，将在IBM公司和TDK公司的多个研究机构内进行，其中包括TDK公司在美国加州Milpitas市的研发中心。
值得一提的是，今年三月份，中国科学院物理所宣布，已经研发出了一种全新的磁阻内存，比其他厂商的成果相比，功耗更低、芯片面积更小。
