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英特尔大连芯片厂奠基

   日期:2007-09-08     来源:媒体    浏览:419    评论:0    
核心提示:    美国英特尔公司大连芯片厂奠基典礼8日上午在大连经济技术开发区举行。      根据中美双方签订的合作协议,美国英特尔公司大连芯片厂首期投入25亿美元,项目建设期为5年。建成达产后形成月产12英寸、
    美国英特尔公司大连芯片厂奠基典礼8日上午在大连经济技术开发区举行。
 
    根据中美双方签订的合作协议,美国英特尔公司大连芯片厂首期投入25亿美元,项目建设期为5年。建成达产后形成月产12英寸、90纳米集成电路芯片52000片的生产能力,主要产品为CPU芯片组。据估算,一期工程投产后将提供约1700个就业岗位。
 
    正在大连参加夏季达沃斯年会的美国英特尔公司董事会主席克瑞格·贝瑞特在奠基典礼上表示,英特尔公司在华投资超过20年,大连芯片厂是公司在全球第八家、亚洲首家芯片工厂。英特尔将采用先进设备和技术,在大连建成一座环境友好型的芯片工厂,并促进中国半导体集成电路产业的发展,使之进入世界领军行列。
 
    大连市市长夏德仁说,美国英特尔公司大连芯片工厂的奠基和开工建设,体现了中美经济技术合作的新进展,展现了中国优越的投资环境,对推动东北老工业基地振兴,对大连用高新技术产业调整产业结构、保护环境,乃至提升中国的集成电路产业地位,都将产生影响。
 
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