推广 热搜: led  b2b  纺织  销售  PPS  纺织业  App  上海  2.2  稀土 

08年闪存产能将首超DRAM内存

   日期:2007-10-12     来源:媒体    浏览:203    评论:0    
核心提示:    研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,闪存产能将在2008年首次超过DRAM内存。    根据SMA报告,闪存产能从2000年以来已经增长了四倍,达到相当于290万片200毫米硅晶圆的规模。相比之
    研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,闪存产能将在2008年首次超过DRAM内存。

    根据SMA报告,闪存产能从2000年以来已经增长了四倍,达到相当于290万片200毫米硅晶圆的规模。相比之下,DRAM产能自那时起仅增长225%。

    报告表示,从2005年到2008年底的三年间,闪存制造商增加的产能是之前四年增加量的六倍。

    预计2008年和2009年,将有另外超过十座晶圆厂上线。SMA预计,当设备装机完成时,将带来每月相当于150万片200毫米硅晶圆的产能。

    SMA总裁George Burns表示,“Alliances和三星是推动闪存产能增长的主要动力,东芝与SanDisk合资公司Alliances最近大幅增加产能,超过三星、Hynix和IMFlash的合并产能增加量。”

    据悉,东芝与SanDisk合资公司包括Flash Vision、Flash Partners和Flash Alliance。Flash Alliance的Fab 4晶圆厂刚开始处理硅晶圆饼,当设备完全装配好,据称每月产能将达21万片300毫米晶圆。Burns注意到,“那将是全球最大的晶圆厂,产能几乎相当于50万片200毫米硅晶圆。”
 
打赏
 
更多>同类资讯
0相关评论

推荐图文
推荐资讯
点击排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  法律声明  |  网站地图  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  冀ICP备10017211号-19