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海力士明年量产54纳米DRAM芯片
日期:2007-11-27 来源:媒体 浏览:
315
评论:0
核心提示: 11月27日消息,海力士(Hynix)半导体公司本周日表示,它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。 据国外媒体报道称,与目前的66纳米工艺相比,54纳米工艺能够将生产效率提高40%。 &nb
11月27日消息,海力士(Hynix)半导体公司本周日表示,它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。
据国外媒体报道称,与目前的66纳米工艺相比,54纳米工艺能够将生产效率提高40%。
7月份,三星采用50纳米工艺的1Gb DRAM芯片通过英特尔的验证。
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